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Topology and Photoelectric Properties of Heterostructure p-GaTe – n-InSe
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Topology and Photoelectric Properties of Heterostructure p-GaTe – n-InSe
V. M. Katerynchuk et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2017 · ISSN 1729-4428
We investigated the photoelectrical properties of the heterojunctions p-GaTe – n-InSe fabricated by the method of mechanical contact of GaTe oxidized plate with van der Waals surface of InSe. The AFM-images revealed th...
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Disponible en línea Ficha bibliográfica