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Transistor Avalanche Non-Coherent Pulse Generator
Articolo
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Transistor Avalanche Non-Coherent Pulse Generator
Marcelo B. Perotoni et al · Sociedade Brasileira de Microondas e Optoeletrônica e Sociedade Brasileira de Eletromagnetismo · ISSN 2179-1074
Abstract A transistor avalanche noise generator (TANG) is described. It is based on an off-the-shelf RF transistor with an integrated planar monopole. From a 70 V DC power it generates sub-nanosecond pulses with amplitud...
LCC LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineeringIdioma Inglés
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Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
Libro
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Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
Diebold, Sebastian · KIT Scientific Publishing · ISBN 9783731501619
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Evaluación de transistores orgánicos de evaluación de transistores orgánicos de capa fina para diferentes aplicaciones
Libro elettronico
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Evaluación de transistores orgánicos de evaluación de transistores orgánicos de capa fina para diferentes aplicaciones
Martín Rodríguez, Eduardo · Editorial Universitaria · 2011 · ISBN 9789591618542
Se trata de realizar una evaluación, a escala de laboratorio, de transistores orgánicos de capa fina (OTFTs) como fototransistores, así como en la detección de variaciones de concentración de iones en soluciones.
Idioma Español
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Laboratorio de circuitos electrónicos I: experimentación básica con diodos y transistores
Libro elettronico
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Laboratorio de circuitos electrónicos I: experimentación básica con diodos y transistores
Barrales Guadarrama, Raymundo; Barrales Guadarrama, Víctor Rogelio; Rodríguez Rodríguez, Melitón Ezequiel · Ediciones de la U · 2019 · ISBN 9789587920888
Idioma Español
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Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros
Libro elettronico
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Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros
Pérez González, Benito · Fundación Universitaria de Las Palmas · 2009 · ISSN 1134-5306
Materie / parole chiave: Ciencia; Investigación y Metodología
Idioma Español
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La detección de fallas y reparación de radio receptores a transistores para el uso de estudiantes de la enseñanza técnica y personal deLa detección de fallas y reparación de radio receptores a transistores para el uso de estudiantes de la enseñanza técnic
Libro elettronico
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La detección de fallas y reparación de radio receptores a transistores para el uso de estudiantes de la enseñanza técnica y personal deLa detección de fallas y reparación de radio receptores a transistores para el uso de estudiantes de la enseñanza técnic
Pavel Gil González · El Cid Editor | apuntes · 2009
Materie / parole chiave: Tecnologías
Idioma Español
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Nanoheteroestructuras de GaAs/ AlGaAs. Simulación y aplicación en transistores de alta movilidad. Ingeniería e Investigación, 31 (1), 144-153
Libro elettronico
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Nanoheteroestructuras de GaAs/ AlGaAs. Simulación y aplicación en transistores de alta movilidad. Ingeniería e Investigación, 31 (1), 144-153
Rodríguez, Eduardo Martín · D - Ingeniería e Investigación · 2011 · ISSN 2248-8723
Materie / parole chiave: Ingeniería y Tecnología; Investigación
Idioma Español
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Characteristic Test Of Transistor Based Multisim Software
Articolo
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Characteristic Test Of Transistor Based Multisim Software
Muhammad Ruswandi Djalal et al · Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universitas Khairun · 2019 · ISSN 2354-8924
Abstract--The purpose of this study is to determine the characteristics of the transistor before it is used in the circuit. Transistors are semiconductor devices used as amplifiers, as circuit breakers and connectors (sw...
LCC LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineeringIdioma Inglés
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Could the negative capacitance effect be used in field-effect transistors with a ferroelectric gate?
Articolo
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Could the negative capacitance effect be used in field-effect transistors with a ferroelectric gate?
E. A. Eliseev et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2022 · ISSN 1729-4428
We analyze the electric potential and field, polarization and charge, and differential capacitance of a silicon metal-oxide-ferroelectric field effect transistor (MOSFET), in which a gate insulator consists of thin layer...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma Inglés
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Design of SOI transistors taking into account the influence of a floating body and a controlled base
Articolo
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Design of SOI transistors taking into account the influence of a floating body and a controlled base
Taras Benko · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2025 · ISSN 1729-4428
The paper proposes an alternative technology that uses a transistor body modification, whereby a larger  modification provides increased device current during switching, while the slope reduces leakage current during st...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma Inglés
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Field-effect transistors engineered via solution-based layer-by-layer nanoarchitectonics
Articolo
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Field-effect transistors engineered via solution-based layer-by-layer nanoarchitectonics
Azzaroni, Omar et al · IOP Publishing · 2023 · ISSN 0957-4484
The layer-by-layer (LbL) technique has been proven to be one of the most versatile approaches in order to fabricate functional nanofilms. The use of simple and inexpensive procedures as well as the possibility to incorpo...
Idioma Inglés
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Sensor for measuring cryogenic temperatures based on a transistor-sensitive element
Articolo
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Sensor for measuring cryogenic temperatures based on a transistor-sensitive element
M. M. Murshudli et al · Politekhperiodika · 2005 · ISSN 3083-6530
The possibility of creating a gas analyzer based on an n-p-n bipolar transistor operating in the self-oscillation mode is considered. Within the operating temperature range from –20 to +50 °C and for NOx concentrati...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma Inglés
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Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers
Articolo
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Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers
P. A. Yemtsev · Politekhperiodika · 2004 · ISSN 3083-6530
A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspec...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma Inglés
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Solar-blind ultraviolet detection based on TiO2 nanoparticles decorated graphene field-effect transistors
Articolo
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Solar-blind ultraviolet detection based on TiO2 nanoparticles decorated graphene field-effect transistors
Li Shasha et al · Wiley · 2019 · ISSN 2192-8606
Sensitive solar-blind ultraviolet (UV) photodetectors are important to various military and civilian applications, such as flame sensors, missile interception, biological analysis, and UV radiation monitoring below the o...
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Study of optical modulation of the bipolar exposed transistor using semiconductor laser
Articolo
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Study of optical modulation of the bipolar exposed transistor using semiconductor laser
Taghreed Younis et al · University of Mosul, College of Education for Pure Science · 2008 · ISSN 1812-125X
Abstract: The effects of semiconductor laser light on static and dynamic characteristics of bipolar exposed transistor had been studied experimentally. There was no significant influence on these characteristics in the a...
LCC TENDOkVkdWNhdGlvbg~~; LCC:Science (General)Idioma Inglés
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Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride
Articolo
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Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride
Liu Wenjun et al · Wiley · 2020 · ISSN 2192-8606
Black phosphorus (BP) shows great potential in electronic and optoelectronic applications; however, maintaining the stable performance of BP devices over temperature is still challenging. Here, a novel BP field-effect tr...
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Using Graphene Field-Effect Transistors for Real-Time Monitoring of Dynamic Processes at Sensing Interfaces. Benchmarking Performance against Surface Plasmon Resonance
Articolo
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Using Graphene Field-Effect Transistors for Real-Time Monitoring of Dynamic Processes at Sensing Interfaces. Benchmarking Performance against Surface Plasmon Resonance
Scotto, Juliana et al · American Chemical Society · 2022 · ISSN 3988-3996
Graphene field-effect transistors (gFETs) are promising tools for the development of precise and affordable techniques for the study of molecular binding kinetics, crucial in applications such as biomolecule therapies, d...
Idioma Inglés
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Radio transistores /
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Radio transistores /
Juliá Enrich, Joan · Marcombo Ediciones Técnicas · 2012 · ISBN 9788426720351
Materie / parole chiave: Transistor radios
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The principle of developing a programmable multi-frequency oscillator based on CMOS transistors in the LT SPICE environment
Articolo
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The principle of developing a programmable multi-frequency oscillator based on CMOS transistors in the LT SPICE environment
Т.G. Benko et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2025 · ISSN 1729-4428
The paper examines the principle of operation of a ring oscillator and the method of its implementation on logic elements in order to improve its operation through simulation and an attempt to achieve optimal characteris...
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Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS
Articolo
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Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS
S. P. Novosyadlyi et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2016 · ISSN 1729-4428
Among the semiconductor in latitude use in microelectronics for digital circuits silicon has been and remains the main material. However, today began intensively implemented circuits based on gallium arsenide. Gallium ar...
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Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits
Articolo
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Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits
S. P. Novosyadlyj et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2017 · ISSN 1729-4428
This paper analyzes performance of bipolar transistors based on AlGaAs/GaAs heterostructures (HBT). Use of heterojunction as emitter junction allows radical improvement of its performance. Numerical simulation of HBT in ...
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Graded-Gap Technology Formatting of High-Speed GaAs – Transistor Structures as the Basis for Modern of Large Integrated Circuits
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Graded-Gap Technology Formatting of High-Speed GaAs – Transistor Structures as the Basis for Modern of Large Integrated Circuits
S. P. Novosyadlyy et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2016 · ISSN 1729-4428
Reducing the size of silicon devices is accompanied by an increase in the effective rate of electrons, decrease transit time and the transition to a ballistic work. Power consumption is reduced too. Formation of large in...
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Oxide induced degradation in MoS2 field-effect transistors
Articolo
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Oxide induced degradation in MoS2 field-effect transistors
Fabian Ducry et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2397-7132
Abstract Transition Metal Dichalcogenides (TMDC) are promising candidates for future scaled transistor channels but their performance is often degraded by imperfections such as the interface with amorphous gate oxides. T...
LCC LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materials; TENDOkNoZW1pc3RyeQ~~Idioma Inglés
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