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4 resultados encontrados.

Tipos de recurso: Libro electrónico Artículo Revista Tesis Capítulo
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Ferroelectricity-modulated asymmetric van der Waals heterostructure for ultralow-power neuromorphic synapse and logic-in-memory operations
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
Jiake Zhi et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2041-1723
Abstract Vertical integration of two-dimensional materials holds tremendous potential for integrated sensing, memory, and computing applications, yet it still confronts challenges such as single device functionality, lim...
LCC TENDOlNjaWVuY2U~Idioma eng
Material complementario disponibleEl enlace apunta a material asociado, anexos, tablas, datos o página complementaria. No se marca como libro/texto completo.
Material complementario
Microgravity-activated high-performance van der Waals InSe ferroelectric semiconductor
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Rong Jin et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2041-1723
Abstract The space microgravity environment, scarcely attainable on Earth, is considered to have a positive effect on crystal growth, especially the van der Waals layered materials with low interlayer sliding energy barr...
LCC TENDOlNjaWVuY2U~Idioma eng
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Open Access
Templated perpendicular ferroelectricity in textured Aurivillius oxide-based thin films
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
Song Zhou et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2041-1723
Abstract The discovery of novel ferroelectric compounds and the modulation of polarization in established ferroelectric materials have persistently represented crucial and highly dynamic areas of research within the fiel...
LCC TENDOlNjaWVuY2U~Idioma eng
Material complementario disponibleEl enlace apunta a material asociado, anexos, tablas, datos o página complementaria. No se marca como libro/texto completo.
Material complementario
​​​Oxy​gen-controlled IGZO channel deposition for enhanced memory window in ferroelectric FETs
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
He Young Kang et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2045-2322
Abstract Ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) incorporating hafnium-oxide-based ferroelectrics are promising candidates for next-generation nonvolatile memory technologies. Nevertheless, interface-related chal...
LCC LCC:Medicine; TENDOlNjaWVuY2U~Idioma eng
Acceso abiertoRuta libre sin proxy. Acceso recomendado cuando no hay suscripción activa.
Open Access