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4 resultados encontrados.

Tipos de recurso: Libro electrónico Artículo Revista Tesis Capítulo
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Biochemical pathways for device nanoarchitectonics: organic semiconductors interfaced with biomolecular systems
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Biochemical pathways for device nanoarchitectonics: organic semiconductors interfaced with biomolecular systems
Takuma Ohashi et al · IOP Publishing · 2026 · ISSN 1882-0786
This review discusses organic semiconductors interfaced with biomolecular systems, focusing on the construction of material systems through biochemical pathways for device nanoarchitectonics. The initial section highligh...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Measurement of the doped ion depth of junction semiconductor prepared by ion implementation using ESCA technique
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Measurement of the doped ion depth of junction semiconductor prepared by ion implementation using ESCA technique
Slah Sheet et al · University of Mosul, College of Education for Pure Science · 2008 · ISSN 1812-125X
Abstract Measurement the depth of ion implantation is considered to be one of the important subject in physics , which has been employed by using SIMS and RBS methods. In this research Electron spectroscopy of chemical A...
LCC TENDOkVkdWNhdGlvbg~~; LCC:Science (General)Idioma eng
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Gate dielectric stack design for 2D materials-based electronics
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
Gate dielectric stack design for 2D materials-based electronics
Minho Jin et al · SpringerOpen · 2026 · ISSN 2196-5404
Abstract Two-dimensional (2D) semiconductors enable atomically thin channels and attractive electrostatics, but practical scaling increasingly hinges on gate-dielectric integration rather than channel performance. A key ...
LCC TENDOlRlY2hub2xvZ3k~; TENDOkNoZW1pY2FsIHRlY2hub2xvZ3k~; TENDOkJpb3RlY2hub2xvZ3k~; TENDOlNjaWVuY2U~; TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Material complementario
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Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks
Artículo
Acceso abierto Artículo CONICET Digital
Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks
Aguirre, Fernando Leonel et al · American Institute of Physics · 2018 · ISSN 0021-8979
The influence of forming gas annealing on the degradation at a constant stress voltage of multi-layered germanium-based Metal-Oxide-Semiconductor capacitors (p-Ge/GeOx/Al2O3/High-K/Metal Gate) has been analyzed in terms ...
Idioma eng
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