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Degradation mechanisms and trap evolution in SiC asymmetric trench MOSFETs under power cycling tests
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Degradation mechanisms and trap evolution in SiC asymmetric trench MOSFETs under power cycling tests
Xueyan Li et al · AIP Publishing LLC · 2026 · ISSN 2158-3226
In this study, we investigated the degradation mechanisms of silicon carbide asymmetric trenches of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (SiC AT-MOSFETs) under power cycling tests (PCTs). After 60000 cycles...
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Open Access
Disponible en línea Ficha bibliográfica
Optically revealing single electrically active dislocations in GaN-on-Si via one-to-one structure–electronic correlation
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Optically revealing single electrically active dislocations in GaN-on-Si via one-to-one structure–electronic correlation
Russel Cruz Sevilla et al · AIP Publishing LLC · 2026 · ISSN 2166-532X
Despite the high density of threading dislocations in heteroepitaxial GaN (>109 cm−2), only a small subset with deep-level states (DLS-TDs) critically degrade the performance of power devices by serving as carrier tra...
LCC TENDOkJpb3RlY2hub2xvZ3k~; TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Disponible en línea Ficha bibliográfica