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ISSN: 16686004 · Editor / fuente: Editorial Quark,
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Degradation mechanisms and trap evolution in SiC asymmetric trench MOSFETs under power cycling tests
Artículo
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Artículo
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Degradation mechanisms and trap evolution in SiC asymmetric trench MOSFETs under power cycling tests
In this study, we investigated the degradation mechanisms of silicon carbide asymmetric trenches of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (SiC AT-MOSFETs) under power cycling tests (PCTs). After 60000 cycles...
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