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Multi-Split SOI Super-Junction VDMOS: A TCAD Simulation Study of the Single-Event Effect
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Multi-Split SOI Super-Junction VDMOS: A TCAD Simulation Study of the Single-Event Effect
Sanjeev Manoj Ranjan et al · IEEE · 2026 · ISSN 2169-3536
This work presents a radiation-hardened Superjunction Vertical Double-Diffused MOSFET (SJ-VDMOS) architecture designed to improve robustness against destructive single-event effects (SEEs), specifically Single-Event Gate...
LCC LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineeringIdioma eng
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Disponible en línea Ficha bibliográfica