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2 resultados encontrados.

Tipos de recurso: Libro electrónico Artículo Revista Tesis Capítulo
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Advanced physical modeling approaches for high-precision TCAD simulation of GaN HEMT power devices: a review
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Advanced physical modeling approaches for high-precision TCAD simulation of GaN HEMT power devices: a review
Haocheng Zhao et al · Springer · 2026 · ISSN 2731-9229
Abstract High-electron-mobility transistors (HEMTs) based on wide bandgap (WBG) materials like gallium nitride (GaN) are vital for next-generation power electronics and high-frequency applications, offering high breakdow...
LCC LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materialsIdioma eng
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Open Access
Disponible en línea Ficha bibliográfica
Modeling and validation of anisotropic thin-film deposition on cylindrical substrates for predictable resistance control in MEMS fabrication
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
Modeling and validation of anisotropic thin-film deposition on cylindrical substrates for predictable resistance control in MEMS fabrication
Aditya Tummala et al · Springer · 2026 · ISSN 2731-6564
Abstract Precise control of electrical properties in conductive micro-structures is essential for the performance and reliability of micro-electro-mechanical systems (MEMS). However, the nature of anisotropic physical va...
LCC TENDOk1lY2hhbmljYWwgZW5naW5lZXJpbmcgYW5kIG1hY2hpbmVyeQ~~Idioma eng
Material complementario disponibleEl enlace apunta a material asociado, anexos, tablas, datos o página complementaria. No se marca como libro/texto completo.
Material complementario
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