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High-quality CMOS compatible n-type SiGe parabolic quantum wells for intersubband photonics at 2.5–5 THz
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
High-quality CMOS compatible n-type SiGe parabolic quantum wells for intersubband photonics at 2.5–5 THz
Campagna Elena et al · Wiley · 2024 · ISSN 2192-8614
A parabolic potential that confines charge carriers along the growth direction of quantum wells semiconductor systems is characterized by a single resonance frequency, associated to intersubband transitions. Motivated by...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Disponible en línea Ficha bibliográfica