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​​​Oxy​gen-controlled IGZO channel deposition for enhanced memory window in ferroelectric FETs
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Acceso abierto Artículo DOAJ
​​​Oxy​gen-controlled IGZO channel deposition for enhanced memory window in ferroelectric FETs
He Young Kang et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2045-2322
Abstract Ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) incorporating hafnium-oxide-based ferroelectrics are promising candidates for next-generation nonvolatile memory technologies. Nevertheless, interface-related chal...
LCC LCC:Medicine; TENDOlNjaWVuY2U~Idioma eng
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