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Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks
Artículo
Acceso abierto Artículo CONICET Digital
Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks
Aguirre, Fernando Leonel et al · American Institute of Physics · 2018 · ISSN 0021-8979
The influence of forming gas annealing on the degradation at a constant stress voltage of multi-layered germanium-based Metal-Oxide-Semiconductor capacitors (p-Ge/GeOx/Al2O3/High-K/Metal Gate) has been analyzed in terms ...
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Disponible en línea Ficha bibliográfica