Influence of laser radiation on optical properties of semiconductor materials

P. O. Gentsar et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2020

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Autor / responsable

P. O. Gentsar et al

Editorial

Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año

2020

ISSN

1729-4428

ISSN

1729-4428

Idioma

Inglés

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In this paper, the transmission and reflection spectra of n-Si(100) single crystals are measured; n-GaAs(100); solid solutions of Ge1-хSiх (х=0.85) in the range (0.2 – 1.7)·10-6 m before and after laser irradiation at the wavelength λ = 532 nm. It is established that the main mechanism of influence of pulsed laser irradiation on the optical properties of thin surface layers of the investigated crystals is structural gettering, that is, the absorption due to the presence of sections of semiconductors that have a defective structure and have the ability to actively absorb defects and points.

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al, P. O. G. E. (2020). Influence of laser radiation on optical properties of semiconductor materials. https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.384-390

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al, P. O. Gentsar et. "Influence of laser radiation on optical properties of semiconductor materials." 2020. https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.384-390.

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al, P. O. Gentsar et. 2020. "Influence of laser radiation on optical properties of semiconductor materials.". https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.384-390.

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al, P. O. G. E. 2020, Influence of laser radiation on optical properties of semiconductor materials, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.384-390 [Accessed 5 Aug. 2026].

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Título: Influence of laser radiation on optical properties of semiconductor materials

Autor / colaboradores: P. O. Gentsar et al

Editorial: Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año de publicación: 2020

ISSN: 1729-4428

ISSN: 1729-4428

Idioma: Inglés

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