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Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI

S. P. Novosyadliy et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2020

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Autore / responsabile
S. P. Novosyadliy et al
Editore
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Anno
2020
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Lingua
Inglés

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In this paper described researched essentials and physical mechanisms of MESFET on epitaxy layers of GaAs with monocrystalline silicon wafer. Conducted computer modeling of MESFET with p-channel: distributions of potential, volumetric charge, current in channel and its characteristics. Based on conducted modeling discovered new effect in MESFET, shielding of volumetric charge, which sufficiently influences on current distribution in channel.

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al, S. P. N. E. (2020). Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI. https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.361-364

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al, S. P. Novosyadliy et. "Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI." 2020. https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.361-364.

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al, S. P. Novosyadliy et. 2020. "Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI.". https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.361-364.

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al, S. P. N. E. 2020, Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.361-364 [Accessed 8 Aug. 2026].

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Titolo
Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI
Autore / collaboratori
S. P. Novosyadliy et al
Editore
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Anno di pubblicazione
2020
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Lingua
Inglés

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