Design of readout circuits for mid-wavelength IR photodiode arrays

V. P. Reva et al · Politekhperiodika · 2004

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Autor / responsable

V. P. Reva et al

Editorial

Politekhperiodika

Año

2004

ISSN

3083-6530

ISSN

3083-6530

Idioma

eng

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Discussed are the problems of designing readout circuits for IR-wavelength photodiode arrays intended, for example, for reading and processing information from array radiation detectors based on materials such as InSb and HgCdTe. The potential functional capabilities of the readout circuits are examined in terms of the application of modern design rules (0.25–1.2 μm). Some characteristics of the designed medium-format readout circuit for 128×128-pixel photodiode arrays using “moderate” 1.2-μm design rules are discussed.

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al, V. P. R. E. (2004). Design of readout circuits for mid-wavelength IR photodiode arrays. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1111

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al, V. P. Reva et. "Design of readout circuits for mid-wavelength IR photodiode arrays." 2004. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1111.

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al, V. P. Reva et. 2004. "Design of readout circuits for mid-wavelength IR photodiode arrays.". https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1111.

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al, V. P. R. E. 2004, Design of readout circuits for mid-wavelength IR photodiode arrays, Politekhperiodika, available at: https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1111 [Accessed 24 Jun. 2026].

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Título: Design of readout circuits for mid-wavelength IR photodiode arrays

Autor / colaboradores: V. P. Reva et al

Editorial: Politekhperiodika

Año de publicación: 2004

ISSN: 3083-6530

ISSN: 3083-6530

Idioma: eng

Materias

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