Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals

A. I. Vlasenko et al · Politekhperiodika · 2004

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Autor / responsable

A. I. Vlasenko et al

Editorial

Politekhperiodika

Año

2004

ISSN

3083-6530

ISSN

3083-6530

Idioma

eng

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A calculation of the quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals is carried out, taking into account their composition, doping level, temperature, and optical excitation level. It is shown that an increase in quantum efficiency of radiative recombination in the interband process in both n- and p-type crystals across the entire doping range is achieved by lowering the temperature and increasing the band gap width. In p-type crystals, doping with acceptor defects within certain limits, depending on the material composition, also contributes to higher quantum efficiency.

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al, A. I. V. E. (2004). Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1097

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al, A. I. Vlasenko et. "Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals." 2004. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1097.

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al, A. I. V. E. 2004, Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals, Politekhperiodika, available at: https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1097 [Accessed 30 Jun. 2026].

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Título: Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals

Autor / colaboradores: A. I. Vlasenko et al

Editorial: Politekhperiodika

Año de publicación: 2004

ISSN: 3083-6530

ISSN: 3083-6530

Idioma: eng

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