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Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals

A. I. Vlasenko et al · Politekhperiodika · 2004

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Autore / responsabile
A. I. Vlasenko et al
Editore
Politekhperiodika
Anno
2004
ISSN
3083-6530
ISSN
3083-6530
Lingua
Inglés

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Riepilogo

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A calculation of the quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals is carried out, taking into account their composition, doping level, temperature, and optical excitation level. It is shown that an increase in quantum efficiency of radiative recombination in the interband process in both n- and p-type crystals across the entire doping range is achieved by lowering the temperature and increasing the band gap width. In p-type crystals, doping with acceptor defects within certain limits, depending on the material composition, also contributes to higher quantum efficiency.

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APA 7

al, A. I. V. E. (2004). Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1097

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al, A. I. Vlasenko et. "Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals." 2004. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1097.

Chicago

al, A. I. Vlasenko et. 2004. "Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals.". https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1097.

Harvard

al, A. I. V. E. 2004, Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals, Politekhperiodika, available at: https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1097 [Accessed 7 Aug. 2026].

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Titolo
Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals
Autore / collaboratori
A. I. Vlasenko et al
Editore
Politekhperiodika
Anno di pubblicazione
2004
ISSN
3083-6530
ISSN
3083-6530
Lingua
Inglés

Soggetti

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cdhgte; photoconductivity; recombination; luminescenceё
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