Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers

P. A. Yemtsev · Politekhperiodika · 2004

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Autor / responsable

P. A. Yemtsev

Editorial

Politekhperiodika

Año

2004

ISSN

3083-6530

ISSN

3083-6530

Idioma

eng

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Resumen

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A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspects of model decomposition are described. An example of amplifier construction is given to verify the adequacy of the model.

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Yemtsev, P. A. (2004). Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1109

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Yemtsev, P. A. "Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers." 2004. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1109.

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Yemtsev, P. A. 2004. "Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers.". https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1109.

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Yemtsev, P. A. 2004, Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers, Politekhperiodika, available at: https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1109 [Accessed 30 Jun. 2026].

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Título: Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers

Autor / colaboradores: P. A. Yemtsev

Editorial: Politekhperiodika

Año de publicación: 2004

ISSN: 3083-6530

ISSN: 3083-6530

Idioma: eng

Materias

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high electron mobility transistor; modeling; parameter determination