Solar cell modules based on GaAs–InGaAs–AlGaAs tandem heterostructures

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Solar cell modules based on GaAs–InGaAs–AlGaAs tandem heterostructures

S. I. Krukovskiy et al · Politekhperiodika · 2004

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Autore / responsabile

S. I. Krukovskiy et al

Editore

Politekhperiodika

Anno

2004

ISSN

3083-6530

ISSN

3083-6530

Lingua

Inglés

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Riepilogo

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The fabrication and investigation of solar cell modules based on GaAs-InGaAs-AlGaAs heterostructures are reported. The active area of the module, assembled from twelve converters with dimensions of 10×20 mm, was 21.12 cm2. Under AM 1.5 spectral conditions, the measured efficiency of the module reached 28.5%, with a maximum output power of 602 mW.

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APA 7

al, S. I. K. E. (2004). Solar cell modules based on GaAs–InGaAs–AlGaAs tandem heterostructures. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1101

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al, S. I. Krukovskiy et. "Solar cell modules based on GaAs–InGaAs–AlGaAs tandem heterostructures." 2004. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1101.

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al, S. I. Krukovskiy et. 2004. "Solar cell modules based on GaAs–InGaAs–AlGaAs tandem heterostructures.". https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1101.

Harvard

al, S. I. K. E. 2004, Solar cell modules based on GaAs–InGaAs–AlGaAs tandem heterostructures, Politekhperiodika, available at: https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1101 [Accessed 7 Aug. 2026].

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Titolo: Solar cell modules based on GaAs–InGaAs–AlGaAs tandem heterostructures

Autore / collaboratori: S. I. Krukovskiy et al

Editore: Politekhperiodika

Anno di pubblicazione: 2004

ISSN: 3083-6530

ISSN: 3083-6530

Lingua: Inglés

Soggetti

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solar cell modules; solar energy converters; multilayer tandem heterostructures; low-temperature lpe; efficiency; p-n junction