Preparation and properties of porous silicon carbide

L. A. Svetlichnaya et al · Politekhperiodika · 2005

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Autor / responsable

L. A. Svetlichnaya et al

Editorial

Politekhperiodika

Año

2005

ISSN

3083-6530

ISSN

3083-6530

Idioma

eng

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The methods of obtaining porous silicon carbide, its properties, and the influence of electrolyte composition, etching time, and current density on the morphology of the porous layer are discussed, as well as the dependence of pore structure on substrate doping. The results are compared with data on porous silicon.

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al, L. A. S. E. (2005). Preparation and properties of porous silicon carbide. https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1093

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al, L. A. S. E. 2005, Preparation and properties of porous silicon carbide, Politekhperiodika, available at: https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1093 [Accessed 1 Jul. 2026].

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Título: Preparation and properties of porous silicon carbide

Autor / colaboradores: L. A. Svetlichnaya et al

Editorial: Politekhperiodika

Año de publicación: 2005

ISSN: 3083-6530

ISSN: 3083-6530

Idioma: eng

Materias

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porous silicon carbide; electrochemical etching; morphology of porous layer; pore size; epitaxial sic layer