Analysis of the Si II and Si III DR Processes Applied to Stellar Envelopes

Cruzado, Alicia et al · SEDICI UNLP · 2001

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Autor / responsable

Cruzado, Alicia et al

Editorial

SEDICI UNLP

Año

2001

Idioma

en

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In an earlier attempt to explain the observed excess in the IR flux of Be stars, we have analyzed the dielectronic recombination (DR) of Mg II in stellar envelopes and the influence of this atomic process on the stellar flux. In the present paper, we study the DR of other ions with astrophysical significance, namely, Si II and Si III, and reach the conclusion that Si II may also contribute to the IR excess in Be stars. Facultad de Ciencias Astronómicas y Geofísicas

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Cruzado, A. E. A. (2001). Analysis of the Si II and Si III DR Processes Applied to Stellar Envelopes. http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2083

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Cruzado, Alicia et al. "Analysis of the Si II and Si III DR Processes Applied to Stellar Envelopes." 2001. http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2083.

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Cruzado, Alicia et al. 2001. "Analysis of the Si II and Si III DR Processes Applied to Stellar Envelopes.". http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2083.

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Cruzado, A. E. A. 2001, Analysis of the Si II and Si III DR Processes Applied to Stellar Envelopes, SEDICI UNLP, available at: http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/2083 [Accessed 30 Jun. 2026].

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Título: Analysis of the Si II and Si III DR Processes Applied to Stellar Envelopes

Autor / colaboradores: Cruzado, Alicia et al

Editorial: SEDICI UNLP

Año de publicación: 2001

Idioma: en

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