Electronic structure and band-edge engineering of Sc-doped g-C₃N₄: a first-principles study
Abhay P. Srivastava et al · Springer · 2026
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al, A. P. S. E. (2026). Electronic structure and band-edge engineering of Sc-doped g-C₃N₄: a first-principles study. https://doi.org/10.1007/s44371-026-00701-w
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al, Abhay P. Srivastava et. "Electronic structure and band-edge engineering of Sc-doped g-C₃N₄: a first-principles study." 2026. https://doi.org/10.1007/s44371-026-00701-w.
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al, Abhay P. Srivastava et. 2026. "Electronic structure and band-edge engineering of Sc-doped g-C₃N₄: a first-principles study.". https://doi.org/10.1007/s44371-026-00701-w.
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al, A. P. S. E. 2026, Electronic structure and band-edge engineering of Sc-doped g-C₃N₄: a first-principles study, Springer, available at: https://doi.org/10.1007/s44371-026-00701-w [Accessed 29 Jun. 2026].
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- Título
- Electronic structure and band-edge engineering of Sc-doped g-C₃N₄: a first-principles study
- Autor / colaboradores
- Abhay P. Srivastava et al
- Editorial
- Springer
- Año de publicación
- 2026
- ISSN
- 3005-1193
- ISSN
- 3005-1193
- Idioma
- eng
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