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Ficha bibliográfica · Consulta y acceso
Artículo

A compact plasmonic MOS-based 2×2 electro-optic switch

Ye Chenran et al · Wiley · 2015

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Resumen

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We report on a three-waveguide electro-optic switch for compact photonic
integrated circuits and data routing applications. The device features a
plasmonic metal-oxide-semiconductor (MOS) mode for enhanced
light-matter-interactions. The switching mechanism originates from a
capacitor-like design where the refractive index of the active medium,
indium-tin-oxide, is altered via shifting the plasma frequency due to carrier
accumulation inside the waveguide-based MOS structure. This light manipulation
mechanism controls the transmission direction of transverse magnetic polarized
light into either a CROSS or BAR waveguide port. The extinction ratio of 18 (7)
dB for the CROSS (BAR) state, respectively, is achieved via a gating voltage
bias. The ultrafast broadband fJ/bit device allows for seamless integration with
silicon-on-insulator platforms for low-cost manufacturing.

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APA 7

al, Y. C. E. (2015). A compact plasmonic MOS-based 2×2 electro-optic switch. https://doi.org/10.1515/nanoph-2015-0010

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al, Ye Chenran et. "A compact plasmonic MOS-based 2×2 electro-optic switch." 2015. https://doi.org/10.1515/nanoph-2015-0010.

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al, Ye Chenran et. 2015. "A compact plasmonic MOS-based 2×2 electro-optic switch.". https://doi.org/10.1515/nanoph-2015-0010.

Harvard

al, Y. C. E. 2015, A compact plasmonic MOS-based 2×2 electro-optic switch, Wiley, available at: https://doi.org/10.1515/nanoph-2015-0010 [Accessed 22 Jun. 2026].

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Título
A compact plasmonic MOS-based 2×2 electro-optic switch
Autor / colaboradores
Ye Chenran et al
Editorial
Wiley
Año de publicación
2015
ISSN
2192-8606
ISSN
2192-8606
Idioma
eng

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