Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures

Ou Yiyu et al · Wiley · 2018

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Autore / responsabile

Ou Yiyu et al

Editore

Wiley

Anno

2018

ISSN

2192-8606

ISSN

2192-8606

Lingua

Inglés

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We have investigated the use of nanopillar structures on high indium content InGaN amber multiple quantum well (MQW) samples to enhance the emission efficiency. A significant emission enhancement was observed which can be attributed to the enhancement of internal quantum efficiency and light extraction efficiency. The size-dependent strain relaxation effect was characterized by photoluminescence, Raman spectroscopy and time-resolved photoluminescence measurements. In addition, the light extraction efficiency of different MQW samples was studied by finite-different time-domain simulations. Compared to the as-grown sample, the nanopillar amber MQW sample with a diameter of 300 nm has demonstrated an emission enhancement by a factor of 23.8.

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APA 7

al, O. Y. E. (2018). Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures. https://doi.org/10.1515/nanoph-2017-0057

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al, Ou Yiyu et. "Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures." 2018. https://doi.org/10.1515/nanoph-2017-0057.

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al, Ou Yiyu et. 2018. "Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures.". https://doi.org/10.1515/nanoph-2017-0057.

Harvard

al, O. Y. E. 2018, Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures, Wiley, available at: https://doi.org/10.1515/nanoph-2017-0057 [Accessed 7 Aug. 2026].

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Titolo: Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures

Autore / collaboratori: Ou Yiyu et al

Editore: Wiley

Anno di pubblicazione: 2018

ISSN: 2192-8606

ISSN: 2192-8606

Lingua: Inglés

Soggetti

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ingan mqws; nanopillar; qcse; strain relaxation; light extraction