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Electro-physical properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x <0,1) crystals

S. Solodin et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2019

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Autor / responsable
S. Solodin et al
Editorial
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Año
2019
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Idioma
eng

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Resumen

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<p>Ge-doped Cd<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>Te (x = 0.02, 0.04, 0.08) crystals were grown by the Bridgman method. Carried out electrical measurements in the temperature range 280-420 K have found that the crystals’ hole conductivity is controlled by the deep compensated acceptors, whose ionization energy (ε<sub>A</sub>) was increased with the content Mn (x) according to the relation ε<sub>A</sub> = 0.6 (1 + 2х) eV. At 300 K: ρ = (10<sup>8</sup>-10<sup>9</sup>) (Ohm´cm), R<sub>H</sub> = (5×10<sup>9</sup>-5×10<sup>10</sup>) cm<sup>3</sup>/C; mobility of current carriers ~ 50 cm<sup>2</sup>/(V´s).</p>

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APA 7

al, S. S. E. (2019). Electro-physical properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x. https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.144-148

MLA

al, S. Solodin et. "Electro-physical properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x." 2019. https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.144-148.

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al, S. Solodin et. 2019. "Electro-physical properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x.". https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.144-148.

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al, S. S. E. 2019, Electro-physical properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.144-148 [Accessed 1 Jul. 2026].

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Título
Electro-physical properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x <0,1) crystals
Autor / colaboradores
S. Solodin et al
Editorial
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Año de publicación
2019
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Idioma
eng

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