Optically pumped room temperature low threshold deep UV lasers grown on native AlN substrates

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Optically pumped room temperature low threshold deep UV lasers grown on native AlN substrates

Kumar Kalapala Akhil Raj et al · Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China · 2020

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Autor / responsable

Kumar Kalapala Akhil Raj et al

Editorial

Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China

Año

2020

ISSN

2096-4579

ISSN

2096-4579

Idioma

eng

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We report here an optically pumped deep UV edge emitting laser with AlGaN multiple quantum wells (MQWs) active region grown on AlN substrate by low pressure organometallic vapor phase epitaxy (LP-OMVPE) in a high-temperature reactor. The 21 period Al0.53Ga0.47N/Al0.7Ga0.3N MQWs laser structure was optically pumped using 193 nm deep UV excimer laser source. A laser peak was achieved from the cleaved facets at 280.3 nm with linewidth of 0.08 nm at room temperature with threshold power density of 320 kW/cm2. The emission is completely TE polarized and the side mode suppression ratio (SMSR) is measured to be around 14 dB at 450 kW/cm2.

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al, K. K. A. R. E. (2020). Optically pumped room temperature low threshold deep UV lasers grown on native AlN substrates. https://doi.org/10.29026/oea.2020.190025

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al, Kumar Kalapala Akhil Raj et. "Optically pumped room temperature low threshold deep UV lasers grown on native AlN substrates." 2020. https://doi.org/10.29026/oea.2020.190025.

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al, Kumar Kalapala Akhil Raj et. 2020. "Optically pumped room temperature low threshold deep UV lasers grown on native AlN substrates.". https://doi.org/10.29026/oea.2020.190025.

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al, K. K. A. R. E. 2020, Optically pumped room temperature low threshold deep UV lasers grown on native AlN substrates, Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China, available at: https://doi.org/10.29026/oea.2020.190025 [Accessed 28 Jun. 2026].

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Título: Optically pumped room temperature low threshold deep UV lasers grown on native AlN substrates

Autor / colaboradores: Kumar Kalapala Akhil Raj et al

Editorial: Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China

Año de publicación: 2020

ISSN: 2096-4579

ISSN: 2096-4579

Idioma: eng

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