Investigation of electronic structure of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution

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Investigation of electronic structure of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution

Yuriy Stadnyk et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2019

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Autor / responsable

Yuriy Stadnyk et al

Editorial

Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año

2019

ISSN

1729-4428

ISSN

1729-4428

Idioma

eng

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<pre>The peculiarities of electronic and crystal structures of Zr1-xVxNiSn (x = 0-0.10) semiconductive solid solution were investigated. To predict Fermi level εF behavior, band gap εg and electrokinetic characteristics of Zr1-xVxNiSn, the distribution of density of electronic states (DOS) was calculated. The mechanism of simultaneous generation of structural defects of donor and acceptor nature was determined based on the results of calculations of electronic structure and measurement of electrical properties of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution. It was established that in the band gap of Zr1-xVxNiSn the energy states of the impurity donor and acceptor levels (donor-acceptor pairs) appear, which determine the mechanisms of conduction of semiconductor.</pre>

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al, Y. S. E. (2019). Investigation of electronic structure of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution. https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.127-132

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al, Yuriy Stadnyk et. "Investigation of electronic structure of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution." 2019. https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.127-132.

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al, Yuriy Stadnyk et. 2019. "Investigation of electronic structure of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution.". https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.127-132.

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al, Y. S. E. 2019, Investigation of electronic structure of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.127-132 [Accessed 29 Jun. 2026].

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Título: Investigation of electronic structure of Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution

Autor / colaboradores: Yuriy Stadnyk et al

Editorial: Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año de publicación: 2019

ISSN: 1729-4428

ISSN: 1729-4428

Idioma: eng

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