Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature

Wu Jinzhao et al · Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China · 2019

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Autor / responsable

Wu Jinzhao et al

Editorial

Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China

Año

2019

ISSN

2096-4579

ISSN

2096-4579

Idioma

eng

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In this paper, we report the exciton polaritons in both positive and negative detuning micro cavities based on InGaN multi-quantum wells (MQWs) and the first polariton lasing in InGaN/GaN MQWs at room temperature by utilizing a 4.5λ Fabry-Perot (F-P) cavity with double dielectric distributed Bragg reflectors (DBRs). Double thresholds corresponding respectively to polariton lasing and photonic lasing are observed along with half-width narrowing and peak blue-shifts. The threshold of polariton lasing is about half of the threshold of photonic lasing. Our results paved a substantial way for ultra-low threshold lasers and room temperature Bose-Einstein Condensate (BEC) in nitride semiconductors.

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al, W. J. E. (2019). Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature. https://doi.org/10.29026/oea.2019.190014

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al, W. J. E. 2019, Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature, Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China, available at: https://doi.org/10.29026/oea.2019.190014 [Accessed 29 Jun. 2026].

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Título: Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature

Autor / colaboradores: Wu Jinzhao et al

Editorial: Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China

Año de publicación: 2019

ISSN: 2096-4579

ISSN: 2096-4579

Idioma: eng

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