Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon

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Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon

Yu.V. Pavlovskyy et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2021

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Autor / responsable

Yu.V. Pavlovskyy et al

Editorial

Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año

2021

ISSN

1729-4428

ISSN

1729-4428

Idioma

eng

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The influence of growth impurities (oxygen and carbon) on the thermalsdefect formation in silicon single crystals has been studied. Annealing was carried out in the temperature range 700-1100°C in steps of 50°C for 5 hours at each temperature. The magnetic, micromechanical and structural properties of annealed silicon single crystals have been experimentally studied. The distribution of defects formed at different annealing temperatures has been studied. The correlation between changes of magnetic susceptibility, microhardness and rearrangement of structural defects in crystals after their heat treatment is revealed. Concentrations and sizes of magnetically ordered clusters are estimated. Interpretation of the obtained experimental results is offered.

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al, Y. P. E. (2021). Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon. https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.437-443

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al, Yu.V. Pavlovskyy et. "Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon." 2021. https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.437-443.

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al, Yu.V. Pavlovskyy et. 2021. "Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon.". https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.437-443.

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al, Y. P. E. 2021, Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.437-443 [Accessed 29 Jun. 2026].

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Título: Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon

Autor / colaboradores: Yu.V. Pavlovskyy et al

Editorial: Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año de publicación: 2021

ISSN: 1729-4428

ISSN: 1729-4428

Idioma: eng

Materias

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monocrystalline silicon; oxygen; carbon; magnetic susceptibility; microhardness; heat treatment