A JL-SDR-IMPATT Device with Improved Efficiency

Dipan Bandyopadhyay et al · Sociedade Brasileira de Microondas e Optoeletrônica e Sociedade Brasileira de Eletromagnetismo

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Autor / responsable

Dipan Bandyopadhyay et al

Editorial

Sociedade Brasileira de Microondas e Optoeletrônica e Sociedade Brasileira de Eletromagnetismo

ISSN

2179-1074

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2179-1074

Idioma

eng

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Abstract An attempt has been made to present a new device which will function as a highly efficient SDR (Single Drift Region) P+-N- N+ IMPATT diode utilizing the advantages of a junctionless field effect transistor. The basic idea is to convert a uniform N+ region into a (P+-N-N+) structure without any requirement of physical doping. As the present device works on the principle of a junctionless channel, variability and short channel effects are significantly reduced as compared to the conventional TFET though the requirement of an extra gate increases a few fabrication steps. Further, efficiency more than conventional SDR IMPATT diode is achievable without any physical doping.

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APA 7

al, D. B. E. (s. f.). A JL-SDR-IMPATT Device with Improved Efficiency. https://doi.org/10.1590/2179-10742017v16i2682

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al, Dipan Bandyopadhyay et. "A JL-SDR-IMPATT Device with Improved Efficiency.". https://doi.org/10.1590/2179-10742017v16i2682.

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al, Dipan Bandyopadhyay et. s. f. "A JL-SDR-IMPATT Device with Improved Efficiency.". https://doi.org/10.1590/2179-10742017v16i2682.

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al, D. B. E. s. f, A JL-SDR-IMPATT Device with Improved Efficiency, Sociedade Brasileira de Microondas e Optoeletrônica e Sociedade Brasileira de Eletromagnetismo, available at: https://doi.org/10.1590/2179-10742017v16i2682 [Accessed 30 Jun. 2026].

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Título: A JL-SDR-IMPATT Device with Improved Efficiency

Autor / colaboradores: Dipan Bandyopadhyay et al

Editorial: Sociedade Brasileira de Microondas e Optoeletrônica e Sociedade Brasileira de Eletromagnetismo

ISSN: 2179-1074

ISSN: 2179-1074

Idioma: eng

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