Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide

Ig. Iv. Chychura et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2020

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Autor / responsable

Ig. Iv. Chychura et al

Editorial

Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año

2020

ISSN

1729-4428

ISSN

1729-4428

Idioma

eng

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The temperature dependences of the optical absorption edges of Zn doped GaAs semiconductor crystals have been measured from 300 to 560 K. The temperature dependence of the optical absorption in the Urbach edges is adequately reproduced by a Bose-Einstein model. Analysis of experimental results gave us the opportunity to offer an explicit function of two arguments (photon energy and temperature) for the absorption coefficient of doped crystals in the Urbach edge region.

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al, I. I. C. E. (2020). Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide. https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.288-293

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al, Ig. Iv. Chychura et. "Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide." 2020. https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.288-293.

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al, Ig. Iv. Chychura et. 2020. "Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide.". https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.288-293.

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al, I. I. C. E. 2020, Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.288-293 [Accessed 3 Jul. 2026].

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Título: Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide

Autor / colaboradores: Ig. Iv. Chychura et al

Editorial: Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año de publicación: 2020

ISSN: 1729-4428

ISSN: 1729-4428

Idioma: eng

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