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Ficha bibliográfica · Consulta y acceso
Artículo

Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design

A.A. Druzhinin et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2020

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Resumen

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The paper deals with studies of thermoelectric properties for Si1-xGex (x=0.01-0.05) whiskers doped with boron during their growth by CVD method. Temperature dependences of the resistance and the Seebeck coefficient for Si1-xGex whiskers were measured in the temperature range 275–550 K. A method for determination of thermoelectric parameters of the whisker was proposed with use of the whisker joints, which allows us to define a ratio of Seebeck coefficient to thermal conductivity a/k. Taking into account the obtained values of Seebeck coefficient, the whisker conductance and estimated values of thermal conductivity, parameter ZT was calculated for the whiskers and consists of 0.15 for T=200oC. The obtained value of ZT is in good coincidence with literature data for hop pressed Si-Ge nanocomposites. The humidity sensor was designed base on Si-Ge whiskers.

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APA 7

al, A. D. E. (2020). Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design. https://doi.org/10.15330/pcss.21.3.399-403

MLA

al, A.A. Druzhinin et. "Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design." 2020. https://doi.org/10.15330/pcss.21.3.399-403.

Chicago

al, A.A. Druzhinin et. 2020. "Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design.". https://doi.org/10.15330/pcss.21.3.399-403.

Harvard

al, A. D. E. 2020, Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.21.3.399-403 [Accessed 3 Jul. 2026].

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Título
Si-Ge whiskers for thermoelectric sensors design
Autor / colaboradores
A.A. Druzhinin et al
Editorial
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Año de publicación
2020
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Idioma
eng

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