Tuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devices

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Tuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devices

Hind Ahmed et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2022

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Autor / responsable

Hind Ahmed et al

Editorial

Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año

2022

ISSN

1729-4428

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1729-4428

Idioma

eng

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The present paper deals with design of Si3N4 doped PVA/PEO new structures to use in different optic, electronic, photonic and electric approaches with distinguished characteristics included few cost, high corrosion resistance, lightweight and good optical, thermal and electronic properties. The Si3N4/PVA/PEO structures were optimized and effectively simulated with a B3LYP / LanL2DZ primer. The structure stability, optical, thermal and electronic properties of Si3N4/PVA/PEO were studied. The obtained results indicated to the PVA/PEO/Si3N4 structures may be used for various optoelectronics devices with low cost and high flexibly.

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al, H. A. E. (2022). Tuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devices. https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.67-71

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al, Hind Ahmed et. "Tuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devices." 2022. https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.67-71.

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al, Hind Ahmed et. 2022. "Tuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devices.". https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.67-71.

Harvard

al, H. A. E. 2022, Tuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devices, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.67-71 [Accessed 2 Jul. 2026].

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Título: Tuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devices

Autor / colaboradores: Hind Ahmed et al

Editorial: Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año de publicación: 2022

ISSN: 1729-4428

ISSN: 1729-4428

Idioma: eng

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