Neuigkeiten Hilfe Institutioneller Zugang
Zurück zu den Ergebnissen
Bibliografischer Datensatz · Ansicht und Zugriff
Artículo

Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits

S. P. Novosyadlyj et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2017

Open-Access-Volltext
Schnellübersicht. Prüfen Sie die grundlegenden Angaben und öffnen Sie den Inhalt über die Hauptschaltfläche. Die Seite zeigt nur die Informationen, die zum Identifizieren, Zitieren und Öffnen des Werks nötig sind.
Autor / Verantwortliche
S. P. Novosyadlyj et al
Verlag
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Jahr
2017
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Sprache
Inglés

Zugriff auf die Ressource

Öffnen Sie den Inhalt über die Hauptoption oder wählen Sie eine andere verfügbare Quelle.

DOAJ DOAJ Articles
Entrar por DOAJ
Hauptzugriff

Open-Access-Volltext

Texto completo identificado como acceso abierto.
Text öffnen

Übersicht

Descripción general del contenido del recurso.

This paper analyzes performance of bipolar transistors based on AlGaAs/GaAs heterostructures (HBT). Use of heterojunction as emitter junction allows radical improvement of its performance. Numerical simulation of HBT in ring oscillator mode showed that the delay of the BT with 1x2 µm emitter can be reduced to 8 ps at a maximum current of 105 A/cm2 . HBT with one and two (emitter and collector) heterojunctions showed 24 ps delay at 9.1 mW and 17 ps at 40 mW. Keywords: bipolar transistor, heterojunction, gallium arsenide.

Zitieren

Elegí el formato que necesitás y copiá la referencia al portapapeles.

APA 7

al, S. P. N. E. (2017). Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits. https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.281-285

MLA

al, S. P. Novosyadlyj et. "Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits." 2017. https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.281-285.

Chicago

al, S. P. Novosyadlyj et. 2017. "Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits.". https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.281-285.

Harvard

al, S. P. N. E. 2017, Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.281-285 [Accessed 6 Aug. 2026].

Teilen und drucken

Speichern Sie den Datensatz, kopieren Sie den Permalink oder drucken Sie ihn als PDF.

Referenz exportieren

Exportieren Sie den Datensatz in gängigen Formaten für Literaturverwaltungsprogramme.

RIS BibTeX

Ressourcendetails

Bibliografische Angaben zur Prüfung, ob es sich um das richtige Material handelt.

Titel
Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits
Autor / Mitwirkende
S. P. Novosyadlyj et al
Verlag
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Erscheinungsjahr
2017
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Sprache
Inglés
Kopiert