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Ficha bibliográfica · Consulta y acceso
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Electronic properties of two-dimensional systems

Tsuneya Ando; A. B. Fowler; Frank Stern · Reviews of Modern Physics · 1982

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The electronic properties of inversion and accumulation layers at semiconductor-insulator interfaces and of other systems that exhibit two-dimensional or quasi-two-dimensional behavior, such as electrons in semiconductor heterojunctions and superlattices and on liquid helium, are reviewed. Energy levels, transport properties, and optical properties are considered in some detail, especially for electrons at the (100) silicon-silicon dioxide interface. Other systems are discussed more briefly.

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APA 7

Ando, T, Fowler, A. B, & Stern, F. (1982). Electronic properties of two-dimensional systems. https://doi.org/10.1103/revmodphys.54.437

MLA

Ando, Tsuneya, et al. "Electronic properties of two-dimensional systems." 1982. https://doi.org/10.1103/revmodphys.54.437.

Chicago

Ando, Tsuneya, A. B. Fowler, and Frank Stern. 1982. "Electronic properties of two-dimensional systems.". https://doi.org/10.1103/revmodphys.54.437.

Harvard

Ando, T, Fowler, A. B. and Stern, F. 1982, Electronic properties of two-dimensional systems, Reviews of Modern Physics, available at: https://doi.org/10.1103/revmodphys.54.437 [Accessed 3 Jul. 2026].

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Título
Electronic properties of two-dimensional systems
Autor / colaboradores
Tsuneya Ando; A. B. Fowler; Frank Stern
Editorial
Reviews of Modern Physics
Año de publicación
1982
Idioma
en

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