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Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications

T. Benko et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2019

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Autor / Verantwortliche
T. Benko et al
Verlag
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Jahr
2019
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Sprache
Inglés

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In this paper, the structure of GaAs FET on a silicon substrate, suitable for local integration in the local SOItechnologyand the method of its electrophysical diagnostics based on changes in the thermal resistance (RT), isanalyzed. It is known [3,4] that the thermal conductivity of GaAs is 3-4 times worse than silicon. To eliminatethis disadvantage, the technology of forming high-speed GaAs-structures on the surface of the silicon substratewas propoused.

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al, T. B. E. (2019). Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications. https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.311-317

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al, T. Benko et. "Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications." 2019. https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.311-317.

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al, T. Benko et. 2019. "Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications.". https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.311-317.

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al, T. B. E. 2019, Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.311-317 [Accessed 7 Aug. 2026].

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Titel
Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications
Autor / Mitwirkende
T. Benko et al
Verlag
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Erscheinungsjahr
2019
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Sprache
Inglés

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