Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films

Ya. P. Saliy · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2018

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Autor / responsable

Ya. P. Saliy

Editorial

Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año

2018

ISSN

1729-4428

ISSN

1729-4428

Idioma

Inglés

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The possibility of obtaining strongly degenerate (> 4×1020 сm-3) SnTe thin films (d = 200 - 2000 nm) with p-type conductivity by thermal evaporation in vacuum of SnTe crystals doped with Sb, with subsequent condensation onto as (0001) mica and sytal substrates, was established. The thickness dependences of electro-physical properties of thin films were obtained. In this region of thickness there was growth of the carrier mobility with thickness, which is attributable to manifestation of classical size effect and interpreted in the framework of Fuchs-Sondheimer theory. These measurements show little correlation between the length of free path of charge cattiers and the lateral diameter of surface objects. Key words: tin telluride, thin film, thickness, size effect.

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Saliy, Y. P. (2018). Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films. https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77

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Saliy, Ya. P. "Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films." 2018. https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77.

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Saliy, Ya. P. 2018. "Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films.". https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77.

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Saliy, Y. P. 2018, Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77 [Accessed 5 Aug. 2026].

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Título: Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films

Autor / colaboradores: Ya. P. Saliy

Editorial: Vasyl Stefanyk Carpathian National University

Año de publicación: 2018

ISSN: 1729-4428

ISSN: 1729-4428

Idioma: Inglés