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Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films

Ya. P. Saliy · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2018

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Autore / responsabile
Ya. P. Saliy
Editore
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Anno
2018
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Lingua
Inglés

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<span>The possibility of obtaining strongly degenerate (&gt; 4×10<sup>20</sup> сm<sup>-3</sup>) SnTe thin films (d = 200 - 2000 nm) with p-type conductivity by thermal evaporation in vacuum of SnTe crystals doped with Sb, with subsequent condensation onto as (0001) mica and sytal substrates, was established. The thickness dependences of electro-physical properties of thin films were obtained. In this region of thickness there was growth of the carrier mobility with thickness, which is attributable to manifestation of classical size effect and interpreted in the framework of Fuchs-Sondheimer theory. These measurements show little correlation between the length of free path of charge cattiers and the lateral diameter of surface objects. </span><strong><br />Key words:</strong><span> tin telluride, thin film, thickness, size effect.</span>

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APA 7

Saliy, Y. P. (2018). Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films. https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77

MLA

Saliy, Ya. P. "Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films." 2018. https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77.

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Saliy, Ya. P. 2018. "Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films.". https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77.

Harvard

Saliy, Y. P. 2018, Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.75-77 [Accessed 10 Aug. 2026].

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Titolo
Classical Size Effects in Sb Doped SnTe Thin Films
Autore / collaboratori
Ya. P. Saliy
Editore
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Anno di pubblicazione
2018
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Lingua
Inglés
Copiato