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Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS

S. P. Novosyadlyi et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2016

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Autore / responsabile
S. P. Novosyadlyi et al
Editore
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Anno
2016
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Lingua
Inglés

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<p class="ArticleAnnotation"><span lang="EN-US">Among the semiconductor in latitude use in microelectronics for digital circuits silicon has been and remains the main material. However, today began intensively implemented circuits based on gallium arsenide. Gallium arsenide circuits of the high charge carrier mobility with a frequency range of operation of reach for chips based on silicon (Si).</span></p> <p class="ArticleAnnotation"><strong><span lang="EN-US">Keywords:</span></strong><span lang="EN-US"> super beta-transistor, heterostructure, gallium arsenide, silicon, reactors electron-cyclotron resonance.</span></p>

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APA 7

al, S. P. N. E. (2016). Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS. https://doi.org/10.15330/pcss.16.3.599-605

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al, S. P. Novosyadlyi et. "Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS." 2016. https://doi.org/10.15330/pcss.16.3.599-605.

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al, S. P. Novosyadlyi et. 2016. "Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS.". https://doi.org/10.15330/pcss.16.3.599-605.

Harvard

al, S. P. N. E. 2016, Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS, Vasyl Stefanyk Carpathian National University, available at: https://doi.org/10.15330/pcss.16.3.599-605 [Accessed 5 Aug. 2026].

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Titolo
Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS
Autore / collaboratori
S. P. Novosyadlyi et al
Editore
Vasyl Stefanyk Carpathian National University
Anno di pubblicazione
2016
ISSN
1729-4428
ISSN
1729-4428
Lingua
Inglés
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