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Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers
P. A. Yemtsev · Politekhperiodika · 2004 · ISSN 3083-6530
A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspec...
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