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Graded-Gap Technology Formatting of High-Speed GaAs – Transistor Structures as the Basis for Modern of Large Integrated Circuits
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Graded-Gap Technology Formatting of High-Speed GaAs – Transistor Structures as the Basis for Modern of Large Integrated Circuits
S. P. Novosyadlyy et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2016 · ISSN 1729-4428
Reducing the size of silicon devices is accompanied by an increase in the effective rate of electrons, decrease transit time and the transition to a ballistic work. Power consumption is reduced too. Formation of large in...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Disponible en línea Ficha bibliográfica
Nanodevices - Editorial
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Nanodevices - Editorial
Nezih Pala · SAGE Publishing · 2016 · ISSN 1847-9804
The race for continuous scaling has been fuelling the electronics industry for the last half a century, allowing unprecedented innovations and achievements. Undoubt‐ edly, silicon and, to some extent, III-V semiconduct...
LCC LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materials; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma eng
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