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Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon
Yu.V. Pavlovskyy et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2021 · ISSN 1729-4428
The influence of growth impurities (oxygen and carbon) on the thermalsdefect formation in silicon single crystals has been studied. Annealing was carried out in the temperature range 700-1100°C in steps of 50°C for 5 h...
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Disponible en línea Ficha bibliográfica