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Degradation mechanisms and trap evolution in SiC asymmetric trench MOSFETs under power cycling tests
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Acceso abierto Artículo DOAJ
Degradation mechanisms and trap evolution in SiC asymmetric trench MOSFETs under power cycling tests
Xueyan Li et al · AIP Publishing LLC · 2026 · ISSN 2158-3226
In this study, we investigated the degradation mechanisms of silicon carbide asymmetric trenches of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (SiC AT-MOSFETs) under power cycling tests (PCTs). After 60000 cycles...
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Disponible en línea Ficha bibliográfica