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Evaluación de transistores orgánicos de evaluación de transistores orgánicos de capa fina para diferentes aplicaciones

Evaluación de transistores orgánicos de evaluación de transistores orgánicos de capa fina para diferentes aplicaciones

Libro electrónico

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Martín Rodríguez, Eduardo · Editorial Universitaria · 2012

Se trata de realizar una evaluación, a escala de laboratorio, de transistores orgánicos de capa fina (OTFTs) como fototransistores, así como en la detección de variaciones de concentración de iones en soluciones.

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Institucional

Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros

Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros

Libro electrónico

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Fundación Universitaria de Las Palmas · 2007 · ISSN 1134-5306

Materias / palabras clave: Science; General; Ciencias; Research; Investigación

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Characteristic Test Of Transistor Based Multisim Software

Characteristic Test Of Transistor Based Multisim Software

Artículo

Acceso abierto Artículo DOAJ

Muhammad Ruswandi Djalal et al · Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universitas Khairun · 2019 · ISSN 2354-8924

Abstract--The purpose of this study is to determine the characteristics of the transistor before it is used in the circuit. Transistors are semiconductor devices used as amplifiers, as circuit breakers and connectors (sw...

LCC LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineeringIdioma eng

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Open Access

Design of SOI transistors taking into account the influence of a floating body and a controlled base

Design of SOI transistors taking into account the influence of a floating body and a controlled base

Artículo

Acceso abierto Artículo DOAJ

Taras Benko · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2025 · ISSN 1729-4428

The paper proposes an alternative technology that uses a transistor body modification, whereby a larger modification provides increased device current during switching, while the slope reduces leakage current during st...

LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng

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Open Access

Sensor for measuring cryogenic temperatures based on a transistor-sensitive element

Sensor for measuring cryogenic temperatures based on a transistor-sensitive element

Artículo

Acceso abierto Artículo DOAJ

M. M. Murshudli et al · Politekhperiodika · 2005 · ISSN 3083-6530

The possibility of creating a gas analyzer based on an n-p-n bipolar transistor operating in the self-oscillation mode is considered. Within the operating temperature range from –20 to +50 °C and for NOx concentrati...

LCC TENDOlBoeXNpY3M~; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma eng

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Open Access

Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers

Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers

Artículo

Acceso abierto Artículo DOAJ

P. A. Yemtsev · Politekhperiodika · 2004 · ISSN 3083-6530

A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspec...

LCC TENDOlBoeXNpY3M~; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma eng

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Open Access

Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride

Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride

Artículo

Material complementario disponible Artículo DOAJ

Liu Wenjun et al · Wiley · 2020 · ISSN 2192-8606

Black phosphorus (BP) shows great potential in electronic and optoelectronic applications; however, maintaining the stable performance of BP devices over temperature is still challenging. Here, a novel BP field-effect tr...

LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng

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Material complementario

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Graded-Gap Technology Formatting of High-Speed GaAs – Transistor Structures as the Basis for Modern of Large Integrated Circuits

Artículo

Acceso abierto Artículo DOAJ

Graded-Gap Technology Formatting of High-Speed GaAs – Transistor Structures as the Basis for Modern of Large Integrated Circuits

S. P. Novosyadlyy et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2016 · ISSN 1729-4428

Reducing the size of silicon devices is accompanied by an increase in the effective rate of electrons, decrease transit time and the transition to a ballistic work. Power consumption is reduced too. Formation of large in...

LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng

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Open Access

Oxide induced degradation in MoS2 field-effect transistors

Oxide induced degradation in MoS2 field-effect transistors

Artículo

Acceso abierto Artículo DOAJ

Fabian Ducry et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2397-7132

Abstract Transition Metal Dichalcogenides (TMDC) are promising candidates for future scaled transistor channels but their performance is often degraded by imperfections such as the interface with amorphous gate oxides. T...

LCC LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materials; TENDOkNoZW1pc3RyeQ~~Idioma eng

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Open Access

Técnicas de diseño de amplificadores de microondas

Técnicas de diseño de amplificadores de microondas

Libro electrónico

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Bava, José Alberto · Editorial de la Universidad Nacional de La Plata · 1999 · ISBN 9789504387558

Materias / palabras clave: Transistor amplifiers; Microwaves; Amplificadores de transistores; Microondas

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Single-layer MoS2 transistors

Single-layer MoS2 transistors

Artículo

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Branimir Radisavljevic; Aleksandra Rađenović; Jacopo Brivio; Valentina Giacometti; András Kis · Nature Nanotechnology · 2011

Materias / palabras clave: Materials science; Graphene; Optoelectronics; Band gap; Transistor; Monolayer; Semiconductor; Electron mobility; Nanotechnology; Silicon; Dielectric; Fabrication

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Material complementario

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Club Saber electrónica.

Artículo

Acceso institucional disponible Artículo eLibro6 fuentes relacionadas

Editorial Quark · 2022 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2018 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2012 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Acceso institucional disponible Artículo eLibro9 fuentes relacionadas

Editorial Quark · 2019 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2010 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2013 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2011 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2020 · ISSN 1668-6004

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2004 · ISSN 0328-5073

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2006 · ISSN 0328-5073

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2005 · ISSN 0328-5073

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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Editorial Quark · 2007 · ISSN 0328-5073

Materias / palabras clave: Circuitos de transistores; Circuitos electrónicos; Control electrónico; Electrónica; Semiconductores; Sistemas electrónicos

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