Electro-physical properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x <0,1) crystals
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Ge-doped Cd1-xMnxTe (x = 0.02, 0.04, 0.08) crystals were grown by the Bridgman method. Carried out electrical measurements in the temperature range 280-420 K have found that the crystals’ hole conductivity is controlle...
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