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4 resultados encontrados.

Tipos de recurso: Libro electrónico Artículo Revista Tesis Capítulo
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Progress of optically pumped GaSb based semiconductor disk laser
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Progress of optically pumped GaSb based semiconductor disk laser
Shu Shili et al · Editorial Office of Opto-Electronic Journals Group, Institute of Optics and Electronics, CAS, China · 2018 · ISSN 2096-4579
This paper reviewed the development of optically pumped GaSb based semiconductor disk lasers (SDLs) emission at 2 μm wavelength region from the aspects of wavelength extending, power scaling, line-width narrowing and sh...
LCC TENDOk9wdGljcy4gTGlnaHQ~Idioma eng
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Open Access
Disponible en línea Ficha bibliográfica
Pliable polaritons: Wannier exciton-plasmon coupling in metal-semiconductor structures
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Pliable polaritons: Wannier exciton-plasmon coupling in metal-semiconductor structures
Khurgin Jacob B · Wiley · 2018 · ISSN 2192-8606
Plasmonic structures are known to support the modes with sub-wavelength volumes in which the field/matter interactions are greatly enhanced. Coupling between the molecular excitations and plasmons leading to the formatio...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Disponible en línea Ficha bibliográfica
Edge Absorption of (Y<sub>0.06</sub>Ga<sub>0.94</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Films
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Edge Absorption of (Y<sub>0.06</sub>Ga<sub>0.94</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Films
O. M. Bordun et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2018 · ISSN 1729-4428
Fundamental absorption edge of (Y0.06Ga0.94)2O3 thin films, obtained by radio-frequency ion-plasmous sputtering, was investigated using the method of optical spectroscopy. It was established that these films are formed i...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Disponible en línea Ficha bibliográfica
Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks
Artículo
Acceso abierto Artículo CONICET Digital
Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks
Aguirre, Fernando Leonel et al · American Institute of Physics · 2018 · ISSN 0021-8979
The influence of forming gas annealing on the degradation at a constant stress voltage of multi-layered germanium-based Metal-Oxide-Semiconductor capacitors (p-Ge/GeOx/Al2O3/High-K/Metal Gate) has been analyzed in terms ...
Idioma eng
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Open Access
Disponible en línea Ficha bibliográfica