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26 resultados encontrados.

Tipos de recurso: Libro electrónico Artículo Revista Tesis Capítulo
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Characteristic Test Of Transistor Based Multisim Software
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Muhammad Ruswandi Djalal et al · Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universitas Khairun · 2019 · ISSN 2354-8924
Abstract--The purpose of this study is to determine the characteristics of the transistor before it is used in the circuit. Transistors are semiconductor devices used as amplifiers, as circuit breakers and connectors (sw...
LCC LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineeringIdioma eng
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Open Access
Design of SOI transistors taking into account the influence of a floating body and a controlled base
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Taras Benko · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2025 · ISSN 1729-4428
The paper proposes an alternative technology that uses a transistor body modification, whereby a larger  modification provides increased device current during switching, while the slope reduces leakage current during st...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Sensor for measuring cryogenic temperatures based on a transistor-sensitive element
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
M. M. Murshudli et al · Politekhperiodika · 2005 · ISSN 3083-6530
The possibility of creating a gas analyzer based on an n-p-n bipolar transistor operating in the self-oscillation mode is considered. Within the operating temperature range from –20 to +50 °C and for NOx concentrati...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma eng
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Open Access
Small-signal transistor model in the design of microwave low-noise amplifiers
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
P. A. Yemtsev · Politekhperiodika · 2004 · ISSN 3083-6530
A semi-analytical method for determining the parameters of high electron mobility transistors is presented, which requires only data on the transistor’s S-parameters measured over a wide frequency range. The main aspec...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma eng
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Open Access
Temperature-stable black phosphorus field-effect transistors through effective phonon scattering suppression on atomic layer deposited aluminum nitride
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
Liu Wenjun et al · Wiley · 2020 · ISSN 2192-8606
Black phosphorus (BP) shows great potential in electronic and optoelectronic applications; however, maintaining the stable performance of BP devices over temperature is still challenging. Here, a novel BP field-effect tr...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
Material complementario disponibleEl enlace apunta a material asociado, anexos, tablas, datos o página complementaria. No se marca como libro/texto completo.
Material complementario
Graded-Gap Technology Formatting of High-Speed GaAs – Transistor Structures as the Basis for Modern of Large Integrated Circuits
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
S. P. Novosyadlyy et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2016 · ISSN 1729-4428
Reducing the size of silicon devices is accompanied by an increase in the effective rate of electrons, decrease transit time and the transition to a ballistic work. Power consumption is reduced too. Formation of large in...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Oxide induced degradation in MoS2 field-effect transistors
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Fabian Ducry et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2397-7132
Abstract Transition Metal Dichalcogenides (TMDC) are promising candidates for future scaled transistor channels but their performance is often degraded by imperfections such as the interface with amorphous gate oxides. T...
LCC LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materials; TENDOkNoZW1pc3RyeQ~~Idioma eng
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Open Access
CMOS IC of a 16-bit microprocessor resistant to γ-radiation
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
V. G. Verbitsky et al · Politekhperiodika · 2004 · ISSN 3083-6530
The results of design and testing of the CMOS IC 1834VM86 16-bit microprocessor (a functional analogue of the n-channel IC 1810VM86) under exposure to accumulated γ-radiation doses up to 10⁶ rad are presented. The str...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma eng
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Open Access
Design Methodology of an Inductorless GaAs pHEMT SPDT Switch With Compact Size for Sub-6 GHz Applications
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Jaehyun Kwon et al · IEEE · 2026 · ISSN 2169-3536
This paper presents an inductorless design methodology for compact single-pole double-throw (SPDT) switches in Sub-6 GHz applications. To achieve compactness and meet key performance metrics below 5.0 GHz, the methodolog...
LCC LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineeringIdioma eng
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Open Access
Development of Inverter Circuits with Dual Control Subchannel Areas of Integral CMOS Sensor Element
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
A.A. Druzhinin et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2021 · ISSN 1729-4428
The use of an integrated sensor element as an addition of inverter, which converts the resistance of a sensitive element into the level of the output pulse signal, is investigated. Inverter circuits with different contro...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Material complementario
Specific Binding of Alzheimer’s Abeta Peptide Fibrils to Single Walled Carbon Nanotubes
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Steingrimur Stefansson et al · SAGE Publishing · 2012 · ISSN 1847-9804
Amyloids constitute a class of protein and protein fragments believed to be involved in the pathologies associated with Alzheimer’s, Parkinson’s and Creutzfeldt‐ Jakob diseases. These proteins can self‐assemble i...
LCC LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materials; TENDOlRlY2hub2xvZ3k~Idioma eng
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Open Access
Unsupervised feature learning in spiking neural networks using nonlinear interface dipole modulation-based synaptic devices
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Noriyuki Miyata · IOP Publishing · 2026 · ISSN 2634-4386
Recently, a three-terminal interface dipole modulation field-effect transistor (IDM FET) memory device has been proposed that leverages electric-field-induced dipole modulation at oxide/oxide interfaces. This device has ...
LCC LCC:Electronic computers. Computer scienceIdioma eng
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Open Access
Ge-GaN deposition: An assistant kMC model
Artículo
Acceso abierto Artículo CONICET Digital
Ferreyra, Romualdo Alejandro et al · Elsevier Science · 2021 · ISSN 0169-4332
The present work provides a parametric simulation tool to assist the experimental deposition of GaN and Ge-GaN material. For this purpose, a kinetic Monte Carlo (kMC) model was developed and implemented to simulate the d...
Idioma eng
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Open Access
Advanced physical modeling approaches for high-precision TCAD simulation of GaN HEMT power devices: a review
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Haocheng Zhao et al · Springer · 2026 · ISSN 2731-9229
Abstract High-electron-mobility transistors (HEMTs) based on wide bandgap (WBG) materials like gallium nitride (GaN) are vital for next-generation power electronics and high-frequency applications, offering high breakdow...
LCC LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materialsIdioma eng
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Open Access
Anisotropic nonlinear optical responses of Ta2NiS5 flake towards ultrafast logic gates and secure all-optical information transmission
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Yan Lei et al · Wiley · 2024 · ISSN 2192-8614
Optical logic gates based on nonlinear optical property of material with ultrafast response speed and excellent computational processing power can break the performance bottleneck of electronic transistors. As one of the...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Degradation mechanisms and trap evolution in SiC asymmetric trench MOSFETs under power cycling tests
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Xueyan Li et al · AIP Publishing LLC · 2026 · ISSN 2158-3226
In this study, we investigated the degradation mechanisms of silicon carbide asymmetric trenches of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (SiC AT-MOSFETs) under power cycling tests (PCTs). After 60000 cycles...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Development of Compact, Low-Power CMOS Toggle Flip-Flops for High-Speed Applications
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
R.K. Reddy et al · Sumy State University · 2026 · ISSN 2077-6772
A New True single-phase clock transistor using T flipflop (TSPC-T) is introduced to operate efficiently at low supply voltages (VDD) while ensuring high speed and reliability. T Flip-flop significantly minimizes unnecess...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Effects of parasitic capacitance on switching transients and thermal performance in a single-phase SiC power MOSFET inverter
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Hsien-Chie Cheng et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2045-2322
Abstract This study aims to investigate the influence of parasitic capacitances within half-bridge SiC power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) modules, including input capacitance (Ciss), output ...
LCC LCC:Medicine; TENDOlNjaWVuY2U~Idioma eng
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Open Access
Features of the Signal System of Automated Design of Frequency Converters Systems - Ultrahigh Frequencies
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
S.P. Novosyadlyj et al · Vasyl Stefanyk Carpathian National University · 2018 · ISSN 1729-4428
The article analyzes and outlines the modern principles of the theory of the signaling system of automated design with frequency transformations on a non-reciprocal electronic device - the transistor of ultrahigh frequen...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access
Metasurface-based Fourier ptychographic microscopy
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
Chu Cheng Hung et al · Wiley · 2025 · ISSN 2192-8614
Meta-optics have opened new possibilities for portable, high-performance microscopy, offering ultrathin and highly customizable wavefront control in scenarios where bulky optics limit adoption. Here, we use this capabili...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Material complementario
Microgravity-activated high-performance van der Waals InSe ferroelectric semiconductor
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Rong Jin et al · Nature Portfolio · 2026 · ISSN 2041-1723
Abstract The space microgravity environment, scarcely attainable on Earth, is considered to have a positive effect on crystal growth, especially the van der Waals layered materials with low interlayer sliding energy barr...
LCC TENDOlNjaWVuY2U~Idioma eng
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Open Access
Multi-Split SOI Super-Junction VDMOS: A TCAD Simulation Study of the Single-Event Effect
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Sanjeev Manoj Ranjan et al · IEEE · 2026 · ISSN 2169-3536
This work presents a radiation-hardened Superjunction Vertical Double-Diffused MOSFET (SJ-VDMOS) architecture designed to improve robustness against destructive single-event effects (SEEs), specifically Single-Event Gate...
LCC LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineeringIdioma eng
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Open Access
Nanomaterials and Nanocomposites for Semiconductor Performance Enhancement: Trends, Challenges, and Future Directions – A Comprehensive Review
Artículo
Material complementario disponible Artículo DOAJ
Madhan Kumar A. et al · EDP Sciences · 2026 · ISSN 2100-014X
In this research the application of nanomaterials, nanocomposites reformed in semiconductor and chip sectors by fabricating them resulted in better performance compared to previous studies. These developed materials has ...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Material complementario
Phosphorescence detection as the first step toward all-optical spin manipulation in single perylene molecules
Artículo
Acceso abierto Artículo DOAJ
Robert Smit et al · American Physical Society · 2026 · ISSN 2643-1564
The on-demand manipulation of triplet states in closed-shell single molecules is still out of reach due to a lack of information about the energy of those triplet states. Yet, the access to triplet states would open up a...
LCC TENDOlBoeXNpY3M~Idioma eng
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Open Access